Название: Диоды Ганна
Вид работы: реферат
Рубрика: Астрономия
Размер файла: 96.89 Kb
Скачать файл: referat.me-2379.docx
Краткое описание работы: Диоды Ганна – это функциональные приборы, которые реализуют определённую функцию. В частности диод Ганна реализует функцию генератора СВЧ – колебаний.
Диоды Ганна
Диоды Ганна Диоды Ганна – это функциональные приборы, которые реализуют определённую функцию. В частности диод Ганна реализует функцию генератора СВЧ – колебаний. Впервые явление было открыто Ганном в 1963 г. Диод Ганна – это объёмный материал на основе GaAs, который при приложении к нему постоянного напряжения в определённом диапазоне, генерирует СВЧ – колебания. Рис 1 Причинной возникновения СВЧ – колебаний, является наличие на ВАХ, участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС). Зонная диаграмма и ВАХ GaAs. GaAs – как полупроводник
|
||||||
Лист | ||||||
Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата |
Эффективная масса m1 * =0,07m0 m 1 * =1,2m0 Подвижность µ 1 =600 см2 /В* с µ 2 =150 см2 /В* с По мере роста приложенного напряжения к образцу GaAs дополнительная энергия, которую приобретают электроны, расположенные в основном минимуме (нижняя долина), возрастает и начинает приближаться к энергии междолинного расщепления. Электрон начинает перебираться из основного минимума к дополнительному (верхняя долина). Рис 4 Вольт – Амперная Характеристика (ВАХ ). Рис 5 |
||||||
Лист | ||||||
Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата |
В следствии того, что подвижностиµ 1 иµ 2 отличаются сильно, на участке ВАХ проявляется участок с ОДП. Для GaAs – характерные точки между которыми происходит перераспределение Еа иЕв Еа =3,2 кВ/смЕв =20 кВ/см Так как в GaAs энергия расщепления меньше ширины запрещённой зоны Механизм междолинных переходов приводящих к появлению участка с ОДС, часе всего называют эффектом Ганна. Такой эффект реализуется в очень малом количестве полупроводников. Если подвижностиµ 1 , µ 2 мало отличаются друг от друга, то на ВАХ появляется характеристика без ОДС. Зарядовая неустойчивость в структурах с ОДС
В момент выхода объёмного заряда из образца возникает скачок тока и ясно, что время пролёта через образец – есть время соответствующее периоду колебаний тока во внешней цепи. В случае если ВАХ не имеет участка с ОДС, то зарядовая неустойчивость, вызывающая изменение электрических полей, сама по себе рассасывается. Рис 8 |
||||||
Лист | ||||||
Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата |
Домены сильного электрического поля в диодах Ганна. Рис 9 Рис 10 В GaAs флуктуации приводят к образованию сильного электрического поля, заряд в котором растёт до тех пор, пока токи слева и справа внутри домена не выровняются. Причём внутри домена будут только тяжёлые электроны, а снаружи вне домена – лёгкие электроны. Этот домен электрического поля также движется по образцу и его разрушение на контактах будет соответствовать появлению колебаний тока в цепи. |
||||||
Лист | ||||||
Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата |
Временные параметры диодов Ганна. Q - заряд
Если мы находимся на участке ОДС, то - Условие формирования, а не рассасывания заряда
|
||||||
Лист | ||||||
Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата |
есть условие конструирования диодов Ганна из GaAs. W=0,1 мм
Статистическая ВАХ GaAs .
Экспериментально установлено, что для GaAs k=4 |
||||||
Лист | ||||||
Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата |
СООТНОШЕНИЕ, ОПИСЫВАЮЩЕЕ ВАХ В ДИОДАХ ГАННА НА ОСНОВЕ GAAS Рис 11 |
||||||
Лист | ||||||
Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата |
Похожие работы
-
Термины авиации
Числовая последовательность - это функция, заданная на множестве натуральных чисел и принимающая дискретные значения (не непрерывные).{yn} - ограниченная, если существует такое M (M>0), что для всякого n выполняется нер-во: -M<=yn<=M. {yn}- возрастающая, если для всех n: yn+1>=yn.
-
Радиопередающие устройства
Московский Государственный Авиационный Институт (Технический Университет) Кафедра 406 Курсовая работа по дисциплине “Радиопередающие устройства”
-
Штрихи до потртета академіка Феофіла Яновського
ШТРИХИ ДО ПОРТРЕТА АКАДЕМІКА ФЕОФІЛА ГАВРИЛОВИЧА ЯНОВСЬКОГО Студентки групи 3М9 Збіглей Ірини Викладач Васкул О.В. У плеяді вчених-медиків, які працювали в Україні і досягли всесвітнього визнання, академік Феофіл Гаврилович Яновський займає одне з почесних місць. Він був видатним інфекціоністом, терапевтом й одним з найосвіченіших лікарів кінця 19-го — початку 20-го століть.
-
Решения к Сборнику заданий по высшей математике Кузнецова Л.А. - 6 Ряды (разное)
Задача 1. Найти сумму ряда. Сумма ряда - сумма n первых членов ряда. Сумма ряда Задача 2. Исследовать на сходимость ряд. При любых значениях n выполняется неравенство
-
Социальная организация 2
Социальная организация Содержание Введение Виды социальных систем Классификация организаций Особенности социально-экономических организаций
-
Методы проверки электронных компонентов
www.virtual-master.info/multimetr.html Омметр + амперметр + вольтметр = мультиметр. Аналоговые и цифровые мультиметры. Методы проверки электронных компонентов.
-
Питання до екзамену з фізики
ПИТАННЯ ДО ЕКЗАМЕНУ. 1. Метод еквівалентного генератора. 2. Метод вузлової напруги. 3. Метод накладання при розрахунку лінійних кіл. 4. Режими роботи, джерела живлення.
-
АЦЭ - Разработка и расчёт автогенератора на диоде ганна с перестройкой частоты
СОДЕРЖАНИЕ 1. Введение 2 2. Техническое задание и исходные данные 3 3. Обзор литературных источников 4 I Междолинный переход электронов 4 II Дипольные домены и возможные режимы работы диодов Ганна 7
-
Контекстуально-інформаційна модель Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Реферат з журналістики Контекстуально-інформаційна модель Київського національного університету імені Тараса Шевченка Упродовж 2000 року в рамках НДР "Моніторинг та інформаційне моделювання ЗМІ" (керівник проф. Різун В. В.) здійснювалося дослідження на предмет висвітлення діяльності Київського національного університету імені Тараса Шевченка засобами масової інформації.
-
Компьютеризированный сбор данных. Датчики и их классификация
4. Компьютеризированный сбор данных 2 4.1. Введение 2 4.2. Общая схема сбора данных 2 4.2.1. Диаграмма организации сбора данных 2 4.2.2.Объекты мониторинга 2