Название: Исследование биполярного транзистора МП-40А
Вид работы: контрольная работа
Рубрика: Физика
Размер файла: 125.32 Kb
Скачать файл: referat.me-341424.docx
Краткое описание работы: Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
Исследование биполярного транзистора МП-40А
Задание для РГЗ
1. Выписать из справочника параметры транзистора МП – 40А. Нарисовать чертёж выводов транзистора.
2. Зарисовать входную и выходную характеристики транзистора.
3. Нарисовать схему с общим эмиттером. Определить графически h-параметры для схемы с общим эмиттером.
4. Нарисовать схему с общим коллектором и общей базой. Рассчитать h-параметры для схем включения с общим коллектором и общей базой.
5. Анализ по полученным результатам.
транзистор коллектор схема
Связь между h -параметрами в различных схемах включения

Справочные параметры транзистора МП – 40А
Промышленностью выпускается 4 группы транзисторов МП – 40А – «В, Г, Д, Е» – В справочниках приводятся параметры и характеристики на группу транзистора. Для проведения расчета выбираю транзистор группы «Д», т.е. транзистор МП – 40А.
Условное наименование транзистора имеет 5 элементов
| 1 элемент | 2 элемент | 3 элемент | 4 элемент | 5 элемент |
| М | П | 4 | 0 | А |
| Обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. М – Кремниевый сплавной. | Буква определяющая подкласс (или группу) транзистора п – полевой. | Характеризует назначение прибора. 2 – 3. 30 МГц (средней частоты). | Число обозначающее номер разработки транзистора. | Буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам. |


Характеристика транзистора МП-40А: кремневый сплавной, германиевый р-п-р транзистор, предназначен для работы в усилительных и переключающих схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Условное обозначение.

| Наименование | Обозначение | Значение | Режимы измерения | ||||||
| min | макс | Uк, В | Uэ, В | Iк, мА | I в, мА | Iэ, мА | f, Гц | ||
| Обратный ток коллектора | Iкбо | 0,5 | 15 | 5 | |||||
| Обратный ток эмиттера | Iэбо | 5 | 30 | 5 | |||||
| Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом | h11б | 25 | 35 | 5 | 1 | 1 | |||
| Коэффициент обратной связи по напряжению | h12б | 110–3 | 5-Ю» 3 | 5 | 1 | 1 | |||
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ | h21э | 20 | 40 | 5 | 1 | 1 | |||
| Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСм | h22б | 0,5 | 3,3 | 5 | 1 | 1 | |||
| Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц | Fh21б | 1,0 | 3,0 | 5 | 1 | ||||
| Емкость коллекторного перехода, пФ | ск | 20 | 50 | 5 | 465 | ||||
| Коэффициент шума, дБ | Кш | 5 | 12 | 1,5 | 0.5 | 1 | |||
| Сопротивление базы, Ом | Rб | 200 | 5 | 1 | 465 | ||||
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окружающей среды, Тс=-60…+70° С):
Iк max – постоянный ток коллектора, мА ………………………… 20
Iк, и max – импульсный ток коллектора, мА ……………………. 150
Uэк max – постоянное напряжение эмиттер-база, В………….……. 5
Uкб max – постоянное напряжение коллектор-база, В ……………. 30
Uкэ max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В ………… 30
Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт …… 150
при Тс=+100° С ……… 75
Uкб пр – пробивное напряжение коллектор-база, В ………………. 30
Uкэ и max – импульсное напряжение коллектор-база, В ……….…. 30
Uкб и max – импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В ………. 30
Допустимая температура окружающей среды, °С ………… -60 … +70
Графическое определение h -параметров для схемы с общим эмиттером


∆Iб=0,2 мА
Величины А-параметров можно определить по статистическим входным и выходным характеристикам задавая приращение одному из параметров. Параметры h11и h 12 определяются по входным характеристикам. Параметры h21 и h22 определяются по семейству выходных характеристик.
Входное сопротивление – сопротивление транзистора входному току.
![]()
Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая часть выходного сигнала транзистора поступает на его вход.
![]()
Коэффициент усиления по току показывает во сколько раз изменение тока 1к больше фиксированного изменения тока Iб.
![]()
Выходная проводимость характеризует внутреннее выходное сопротивление транзистора.
![]()
Включение транзистора по схеме с общим эмиттером
Каскад по схеме с ОЭ при усилении переворачивает фазу напряжения, т.е. между выходным и входным напряжением имеется фазовый сдвиг 180. Достоинство схемы с ОЭ – удобство питания ее от одного источника, поскольку на коллектор и базу подаются питающие напряжения одного знака. Недостатки данной схемы – худшие по сравнению со схемой ОБ частотные и температурные свойства. С повышением частоты усиление в схеме с ОЭ снижается в значительно большой степени, нежели в схеме с ОБ. Режим работы схемы ОЭ сильно зависит от температуры.

Расчет h -параметров для схемы включения с общей базой
![]()
![]()
![]()
![]()

Данная схема дает значительно меньшее усиление по мощности и имеет еще меньшее входное сопротивление, чем схема с ОЭ. Но по своим частотным и температурным свойствам она значительно лучше схемы ОЭ. Для схемы ОБ фазовый сдвиг между выходным и входным напряжением отсутствует, т.е. фаза напряжения при усилении не переворачивается. Каскад по схеме ОБ вносит при усилении меньшие искажения, нежели каскад по схеме ОЭ.
Расчет h -параметров для схемы включения с общим коллектором
![]()
![]()
![]()
![]()

В схеме OK входное напряжение полностью передается обратно на вход, т.е. очень сильна отрицательная обратная связь. Выходное напряжение совпадает с входным и почти равно ему (выходное напряжение повторяет входное). Поэтому данный каскад обычно называют эмиттерным повторителем.
Важнейшие параметры основных схем включения транзисторов
| *** | Схема ОЭ | Схема ОБ | Схема ОК |
| h11 | Сотни – тысячи | Единицы – десятки | Десятки – сотни |
| h12 | 0,01 – 0,1 | 0,1 – 1 | 1 |
| |h21| | Десятки – сотни | Немного меньше единицы | Десятки тысяч – сотни тысяч |
| 1/h22 | Сотни – тысячи | Тысячи – сотни тысяч | Сотни – тысячи |
Анализ полученных результатов.
Сводная таблица полученных результатов
| Исследуемый параметр | Схема включения транзистора | мп-40А | |
| ОЭ | ОБ | ОК | |
| h11 (входное сопротивление) | 166 Ом | 5,35 Ом | 166 Ом |
| h 12 (коэффициент обратной связи) | 0,02 | 0,14 | 1 |
| | h 2 I | (коэффициент усиления по току) | 30 | 31 | 0,97 |
| 1/h22 (выходное сопротивление) | 0,33 кОм | 11,6 кОм | 0,33 кОм |
Входное сопротивление h 11 схемы включения транзистора должно быть максимальным, этим исключается шунтирующее действие каскада на предыдущий узел. По полученным входным сопротивлениям для различных схем включения делаем вывод, что наибольшими значениями обладает схема ОЭ и ОК. Однако схема ОК обеспечивает максимальную отрицательную обратную связь. Наименьшим входным сопротивлением h11 =5.35 Ом обладает схема с ОБ, что затрудняет ее использование с высокоомными выходными источниками. Данная схема применяется в основном совместно со схемой ОК (каскадные схемы включения).
Коэффициент обратной связи h 12 определяет коэффициент усиление каскада по напряжению. Наибольшим коэффициент усиления по напряжению, обладает схема ОЭ и ОБ (обратная связь минимальна). Схема с ОК имеет максимальную обратную отрицательную связь поэтому данная схема включения обладает минимальным усилением по напряжению.
Коэффициент усиления по току h21. Наименьшим усилением по току обладает каскад ОБ, наибольшим – каскад с ОК, следовательно схему с ОК целесообразно включать на каскады имеющие низкое входное сопротивление (например, генератор тока).
Выходное сопротивление 1/h22. Наибольшим выходным сопротивлением обладает схема с ОБ, что затрудняет ее использование в схемах имеющих низкое входное сопротивление.
Список используемой литературы
1. Транзисторыдля аппаратуры широкого применения: Справочник / К.М. Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И. Давыдова и др. Под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981. - 656 с.: ил.
2. Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. – 352 с: ил.
3. Справочник радиолюбителя. – 3-е изд. Под общей редакцией А.А. Куликовского - М: Госэнергоиздат, 1961. – 500 с: ил.
Похожие работы
-
Расчет ребристого радиатора
Реферат Тема: "Расчет ребристого радиатора" 2009 Расчёт ребристого радиатора при естественном воздушном охлаждении для транзистора 2Т808А заданной мощности 15 Вт
-
Самостоятельная нагрузка
Биполярный транзистор как трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, его отличительные характеристики, устройство и элементы. Принцип действия транзисторов и схема его включения. Входная и выходная характеристика транзистора.
-
Одиночные усилительные каскады на биполярных транзисторов
Использование биполярных транзисторов. Назначение элементов в схемах усилителей с общим эмиттером и коллектором. Температурная стабилизация и форма кривой выходного напряжения. Расчет коэффициентов усиления по току, напряжению и входному сопротивлению.
-
Исследование биполярного транзистора 2
Лабораторная работа 1 Тема: " Исследование биполярного транзистора" Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора. Приборы и элементы: Биполярный транзистор 2N3904, источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, резисторы.
-
Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ Херсонський національний технічний університет Кафедра фізичної електроніки й енергетики РОЗРАХУНКОВО-ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА
-
Транзисторы
Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
-
Разработка электронного реле
Электромагнитные, электронные реле и их эксплуатационные показатели. Проектирование полупроводникового реле тока. Коммутация токов и напряжений. Структурная и электрическая схемы реле. Применение интегральных микросхем. Расчет номинальных параметров.
-
Исследование биполярного транзистора
Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
-
Исследование полевых транзисторов
ГУАП КАФЕДРА № 25 ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
-
Расчет ребристого радиатора
Методика и характеристика основных этапов расчёта ребристого радиатора при естественном воздушном охлаждении для транзистора 2Т808А заданной мощности 15 Вт. Определение необходимого напора внутри радиатора, температуры среды и коэффициента теплоотдачи.