Referat.me
/ / Построение зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна

Название: Построение зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна

Вид работы: контрольная работа

Рубрика: Физика

Размер файла: 148.89 Kb

Скачать файл: referat.me-341898.docx

Краткое описание работы: Домашняя работа Построение зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна Выполнил: Гумбатов К.C. Москва 2008 . Содержание задания №1 Построить зонную структуру по заданным направлениям в зоне Брюллюэна E(k) вблизи энергий Ev max и Ec min. Указать на ней положение примесных акцепторных состояний EA и значения эффективных масс для основных носителей заряда mp*.

Построение зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна

Домашняя работа

Построение зонной структуры по заданным направлениям

в зоне Брюллюэна

Выполнил:

Гумбатов К.C.

Москва 2008


I . Содержание задания №1

Построить зонную структуру по заданным направлениям в зоне Брюллюэна E(k) вблизи энергий Ev max и Ec min . Указать на ней положение примесных акцепторных состояний EA и значения эффективных масс для основных носителей заряда mp *.

Составить блок численных значений для основных параметров полупроводников:

1. Непрямозонный, число долин

,

,

,

; (компоненты тензора и значение )

; (для разных подзон и значений )

и

и

II . Расчетная часть

1. Расчет температур:

а) для :

,

б) для :

,

Таблица 1. Построение графика

10^3/T T n ln n Ec-F
105 9,52 1,9E+14 32,86 4,7E-03
100 10,00 2,2E+14 33,01 4,9E-03
95 10,53 1,0E+15 34,54 3,8E-03
90 11,11 1,0E+15 34,54 4,1E-03
85 11,76 1,0E+15 34,54 4,5E-03
80 12,50 1,0E+15 34,54 4,8E-03
75 13,33 1,0E+15 34,54 5,3E-03
70 14,29 1,0E+15 34,54 5,8E-03
65 15,38 1,0E+15 34,54 6,4E-03
60 16,67 1,0E+15 34,54 7,1E-03
55 18,18 1,0E+15 34,54 7,9E-03
50 20,00 1,0E+15 34,54 8,9E-03
45 22,22 1,0E+15 34,54 1,0E-02
40 25,00 1,0E+15 34,54 1,2E-02
35 28,57 1,0E+15 34,54 1,4E-02
30 33,33 1,0E+15 34,54 1,7E-02
25 40,00 1,0E+15 34,54 2,1E-02
20 50,00 1,0E+15 34,54 2,8E-02
15 66,67 1,0E+15 34,54 4,0E-02
10 100,00 1,0E+15 34,54 6,6E-02
9 111,11 1,0E+15 34,54 7,4E-02
8 125,00 1,0E+15 34,54 8,6E-02
7 142,86 1,0E+15 34,54 1,0E-01
6 166,67 1,0E+15 34,54 1,2E-01
5 200,00 1,0E+15 34,54 1,5E-01
4 250,00 1,0E+15 34,54 1,9E-01
3 333,33 1,0E+15 34,54 2,7E-01
2 500,00 1,0E+15 34,56 4,3E-01
1,5 666,67 8,9E+15 36,72 4,7E-01

3. Выбор расчетной формулы:

полупроводник невырожденный

4. Построение графика

а) Для области №1:

Для области №2 (плато):

Для области №3:

б)

в)

г)

д)


Таблица 2.

T F Ec Ed Eg(T) Ei(T)
9,52 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
10,00 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
10,53 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
11,11 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
11,76 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
12,50 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
13,33 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
14,29 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
15,38 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
16,67 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
18,18 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
20,00 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
22,22 0,99 1,00 0,990 0,22 0,61
25,00 0,99 1,00 0,990 0,23 0,61
28,57 0,99 1,00 0,990 0,23 0,61
33,33 0,99 1,00 0,990 0,23 0,61
40,00 0,98 1,00 0,990 0,23 0,62
50,00 0,98 1,00 0,990 0,24 0,62
66,67 0,97 1,00 0,990 0,24 0,62
100,00 0,96 1,00 0,990 0,26 0,63
111,11 0,95 1,00 0,990 0,26 0,63
125,00 0,95 1,00 0,990 0,27 0,63
142,86 0,94 1,00 0,990 0,28 0,64
166,67 0,93 1,00 0,990 0,29 0,64
200,00 0,91 1,00 0,990 0,30 0,65
250,00 0,89 1,00 0,990 0,32 0,66
333,33 0,85 1,00 0,990 0,36 0,68
500,00 0,70 1,00 0,990 0,43 0,71
666,67 0,73 1,00 0,990 0,50 0,75

Похожие работы

  • Температурная зависимость проводимости полупроводника

    С ростом температуры кристалла за счет теплового расширения постоянная решетки увеличивается. Поэтому при повышении температуры у полупроводников, как правило, запрещенная зона уменьшается.

  • Полупроводники 2

    Ташкентский Университет Информационных технологии Кафедра Физики Реферат по физике твердого тела. Выполнил : Хамидов Вахид Сабирович Ф. И. О.: Ташкент 2005

  • Емкость резкого p-n перехода

    Выражение для емкости резкого p-n перехода в случае полностью ионизированных примесей. Определение величины его барьерной емкости. Расчет контактной разности потенциалов, толщины слоя объемного заряда. Величина собственной концентрации электронов и дырок.

  • Построение потенциальной диаграммы

    Порядок сборки заданной электрической цепи, методика измерения потенциалов всех точек данной цепи. Определение силы тока по закону Ома, его направления в схемах. Построение для каждой схемы потенциальной диаграммы по соответствующим данным расчета.

  • Сверхпроводники (Доклад)

    ДОКЛАД ПО ФИЗИКЕ НА ТЕМУ: «СВЕРХПРОВОДНИКИ» Выполнил ученик 10«А» класса Школы№528 ЦАО города МОСКВЫ Саная А. Г. МОСКВА 14.03.1999 год Сверхтонкие YBCO пленки с Т

  • Изучение электрических свойств p-n перехода

    Теоретические сведения о свойствах полупроводников. Предоставление энергетических диаграмм p-n перехода в условиях равновесия. Получение вольтамперной и вольтфарадной характеристик по заданным значениям напряжения и тока. Расчет концентрации примеси.

  • Абсолютная и относительная влажность воздуха

    Абсолютная и относительная влажность воздуха. Атмосферный воздух всегда содержит некоторое количество влаги в виде паров. Влажность воздуха в помещениях с естественной вентиляцией обуславливается выделением влаги людьми и растениями в процессе дыхания, испарением бытовой влаги при приготовлении пищи, стирке и сушке белья, а также технологической влагой (в производственных помещениях) и влажностью ограждающих конструкций (в первый год эксплуатации зданий).

  • Расчет вала при совместном действии изгиба и кручения по гипотезам прочности

    Совместные действия изгиба и кручения, расчет с применением гипотез прочности. Значение эквивалентного момента по заданным координатам. Реакция опор в вертикальной и горизонтальной плоскости. Эпюра крутящихся, изгибающихся и вращающихся моментов.

  • Подключение линий передач к нагрузке с заданным сопротивлением

    Понятие и назначение линии передачи, ее структура и компоненты. Вычисление коэффициента отражения от нагрузки в линиях передачи. Сопротивление нагрузки четвертьволнового трансформатора. Расчет параметров, построение графика распределения амплитуды.

  • СВЧ элементы

    Узбекское агентство связи и информатизации Ташкентский университет информационных технологий Кафедра антенно-фидерных устройств РАБОЧАЯ ПРОГРАММА