Название: Принципы построения ОЗУ

Вид работы: реферат

Рубрика: Информатика и программирование

Размер файла: 15.83 Kb

Скачать файл: referat.me-139106.docx

Краткое описание работы: Изучение принципов построения оперативных запоминающих устройств Цель работы: Изучение основных принципов построения оперативных запоминающих

Принципы построения ОЗУ

Изучение принципов построения оперативных запоминающих устройств

Цель работы: Изучение основных принципов построения оперативных запоминающих

устройств статического и динамического типов.

Введение:

Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной

базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для

построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее

широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, в которых память представляет

собой функциональную часть, предназначенную для записи, хранения, выдачи команд

и обрабатываемых данных. Комплекс механических средств, реализующих функцию

памяти, называют запоминающим устройством. В лабораторной работе представлены

програмно реализованные модели двух типов оперативных запоминающих устройств -

статического и динамического.

Описание ЗУ:

Статическое запоминающее устройство.

Программная модель статического оперативного запоминающего устройства

представляет традиционную структуру ЗУ с призвольной выборкой, состоящую из

дешифраторов строк и столбцов и матрицы накопительных элементов. При выполнении

работы имитируются режимы записи и чтения данных для любой ячейки памяти. Помимо

общей структуры представлена схема отдельной ячейки памяти, представляющей собой

триггер на КМДП-транзисторах, имеющих каналы разного типа проводимости: VT1, VT2

-каналы n-типа, VT3, VT4 -каналы p-типа. У триггера два парафазных совмещенных

входа-выхода. Ключевыми транзисторами VT5, VT6 триггер соединен с разрядными

шинами РШ1, РШ0, по которым подводятся к триггеру при записи и отводятся от него

при считывании информации в парафазной форме представления: РШ1=D,

РШ0=D(инверт.). Ключевые транзисторы затворами соединены с адресной

шиной(строкой). При возбуждении строки сигналом выборки X=1, снимаемым с выхода

джешифратора адреса строк, ключевые транзисторы открываются и подключают

входы-выходы триггера к разрядным шинам. При отсутствии сигнала выборки строки,

т.е. при X=0, ключевые транзисторы закрыты и триггер изолирован от зарядных шин.

Таким образом реализуют в матрице режим обращения к ЭП для записи или считывания

информации и режим хранения мнформеции.

Для сохранения информации в триггере необходим источник питания, т.е. триггер

рассматриваемого типа является энергозависимым. При наличии питания триггер

способен сохранять свое состояние сколь угодно долго. В одно из двух состояний,

в которых может находиться триггер, его приводят сигналы, поступающие по

разрядным шинам в режиме записи: при D=1(РШ1=1,РШ0=0) VT1, VT4,-открыты, VT2,

VT3 -закрыты, при D=0(РШ1=0,РШ0=1)транзисторы свои состояния изменяют на

обратные. В режиме считывания РШ находятся в высокоомном состоянии и принимают

потенциалы плеч триггера, передавая их затем через устройство ввода-вывода на

выход микросхемы DO, DO(инверт). При этом хранящаяся в триггере информация не

разрушается.

Особенность КМДП-триггеров заключается в том, что в режиме хранения они

потребляют незначительную мощность от источника питания, поскольку в любом

состоянии триггера в той или другой его половине один транзистор, верхний или

нижний, закрыт. В режиме обращения, когда переключаются элементы матрицы,

дешифраторы и другие функциональные узлы микросхемы, уровень ее

энергопотребления возрастает на два-три порядка.

Вместе со структурой ОЗУ, схемы запоминающей ячейки на экране представлены

четыре типовые временные диаграммы работы статического запоминающего устройства,

которые описывают циклы записи (слева) и считывания информации. В режиме записи

на вход памяти вначале подаются сигналы адреса, сигнал записи W/R=1 и

информационный сигнал D. Затем устанавливают сигнал CS(инверт.)с задержкой во

времени tус.вм.а относительно сигналов адреса.

Длительность сигнала CS(инверт) определяют параметром tвм. Кроме того, указывают

длительность паузы tвм(инверт.) в последовательности сигналов CS(инверт.),

которую следует выдержать для восстановления потенциалов емкостных элементов

схемы.

Сигналы адреса необходимо сохранить на время tсх.а.вм после снятия сигнала

CS(инверт.). В течении всего цикла записи tц.зп выход микросхемы находится в

высокоомном (третьем) состоянии.

В цикле считывания порядок подачи сигналов тот же, что при записи, но при

условии W/R=0. Время появления сигнала на информационном выходе DO определяют

параметрами tв.вм(время выбора) и tв.а (время выборки адреса), причем

tв.а=tв.вм+tус.вм.а .

Запоминающая ячейка динамического ОЗУ.

В лабораторной работе изучается типичная ячейка динамического ОЗУ на трех

транзисторах. В дополнение к этим трем транзисторам, необходимым для компоновки

основной ячейки, вводится четвертый, используемый при предварительной зарядке

выходной емкости Cr.Бит информации хранится в виде заряда емкости

затвор-подложка (Cg). Для опроса ячейки подается импульс на линию

предварительной зарядки и открывается транзистор T4. При этом выходная емкость

Cr заряжается до уровня Ec и возбуждается линия выборки при считывании. В

результате открывается транзистор T3, напряжение с которого подается T2. Если в

ячейке хранится 0 (Cg разряжена), то T2 закрыт и на Cr сохранится заряд. Если же

в ячейке содержится 1 (Cg заряжена), то транзистор T2 открыт и Cr разрядится. На

выход поступает инвертируемое содержимое адресуемой ячейки.

Операция ЗАПИСЬ выполняется путем подачи соответствующего уровня напряжения на

линию записи данных с последующей подачей импульса на линию выборки при записи.

При этом транзистор T1 включен и Cg заряжается до потенциала линии записи

данных.

Существуют различные схемные варианты реализации динамического ОЗУ. Во всех этих

вариантах используется МОП-технология, поскольку для предотвращения быстрой

зарядки емкости Cg необходимо высокое полное входное сопротивление. Однако и для

случая МОПприборов необходима периодическая регенерация ячейки (подзарядка Cg).

Период регенерации зависит от температуры и для современных приборов находится,

как правило,в интервале 1-3 мс при температуре от 0 до 55С. Регенерация ячейки

динамического ОЗУ выполняется путем считывания хранимого бита информации,

передачи его на линию записи данных и последующей записи этого бита в ту же

ячейку при помощи импульса, подаваемого на линию выборки при записи.

Вывод: Данная лабораторная работа проведена в соответствии с методическим

указанием, представленным в виде текстового файла в приложении к обучающей

программе. На данной лабораторной работе я изучил основные запоминающие

устройства и разобрался с принципом их действия.