Referat.me

Название: Микрополосковый метод исследования диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах

Вид работы: реферат

Рубрика: Радиоэлектроника

Размер файла: 24.55 Kb

Скачать файл: referat.me-320354.docx

Краткое описание работы: Н.А. Малков, С.В. Мищенко Микрополосковый метод (МП) измерения диэлектрических параметров обладает высокой чувствительностью и позволяет полностью перекрыть частотный диапазон на стыке дециметровых и сантиметровых длин волн (где измерительные ячейки с распределёнными параметрами имеют неприемлемо большие габариты)

Микрополосковый метод исследования диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах

Н.А. Малков, С.В. Мищенко

Микрополосковый метод (МП) измерения диэлектрических параметров обладает высокой чувствительностью и позволяет полностью перекрыть частотный диапазон на стыке дециметровых и сантиметровых длин волн (где измерительные ячейки с распределёнными параметрами имеют неприемлемо большие габариты)

Он основан на регистрации полюса затухания на амплитудно-частотной характеристике (а.ч.х.) многозвенной микрополосковой измерительной ячейки.

Положение и глубина полюса затухания определяется соответственно диэлектрической проницаемости и тангенсом угла диэлектрических потерь материала подложки, а также геометрией металлических полосок.

Исследовалась измерительная ячейка а.ч.х., которой наблюдались «окна прозрачности» вблизи частот, кратных полуволновому резонансу в отрезках м.п. линий, а полюса затухания - на частотах, где индуктивное и ёмкостное взаимодействие отрезков м.п. линий компенсируют друг друга.

Обнаружено, что диэлектрическая проницаемость подложки . А.ч.х. рассматриваемой измерительной ячейки имеет лишь один полюс затухания, причём он располагается на частоте, всегда ниже частоты полуволнового резонанса.

А.ч.х. измерительной ячейки имеет открытый максимум, характерный для подобных схем, что позволяет определять частоту полюса затухания с высокой точностью. Как показывают исследования, частота полюса и величина затухания СВЧ-мощности в нём зависят от всех параметров микрополосковой секции.

При этом в качестве параметра сравнения, характеризующего чувствительность метода, не только значение относительного сдвига полюса затухания в зависимости от изменения подложки, но и точностью измерения частоты , зависящей от «остроты» полюса. Здесь «острота» полюса оценивается отношением f к ширине а.ч.х. по уровню 3 Дб от уровня максимальных потерь.

Из анализа полученных данных были установлены следующие закономерности. Чувствительность почти не зависит от длины полосок и не изменяется при варьировании ширины полосок, но монотонно возрастает с увеличением отношения (расстояния между полосками и толщиной подложки), оставаясь, однако, даже при малых значениях не меньше, чем в резонаторном методе.

Похожие работы

  • Исследование комбинационных помех в анализаторе спектра миллиметрового диапазона длин волн

    ДИПЛОМНАЯ РАБОТА Исследование комбинационных помех в анализаторе спектра миллиметрового диапазона длин волн. Содержание 1.Введение 2.Теоретический анализ комбинационных помех ,

  • Хемотроника

    как новое научно-техническое направление возникло на стыке электрохимии и электроники. Это наука о построении разнообразных электрохимических приборов на основе явлений, связанных с прохождением тока в жидких телах с ионной проводимостью.

  • Слабонаправленные антенны

    Исследование слабонаправленных антенн. Цель работы: исследование слабонаправленных антенн пирамидальной рупорной и диэлектрической стержневой. Ознакомление с конструкциями антенн. Расчет и экспериментальное определение их основных характеристик.

  • Расчет тонкопленочного конденсатора

    ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ В некоторых типах гибридных ИМС наряду с резисторами наиболее распространенными пассивными элементами являются пленочные конденсаторы, которые во многом определяют схемо­технические и эксплуатационные характеристики ИМС. Так, качество и надежность большинства линейных гибридных ИМС в значительной мере зависят от качества и надежности тонкопленочных конденсаторов, что определяется их конструкцией и технологией изготовления.

  • Проектирование усилителя электрических сигналов

    МО УКРАИНЫ Севастопольский государственный технический университет ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К К У Р С О В О МУ П Р О Е К ТУ “ Проектирование усилителя электрических сигналов

  • Печатные излучатели

    www.acsoft.tk ПЕЧАТНЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ КОНСТРУКЦИЯ И ПРИНЦИПЫ ДЕЙСТВИЯ Печатный излучатель представляет собой прямоугольную пластинку, возбуждаемую одним или несколькими штырями (рис. 7.1). Несмотря на простоту конструкции, это многофункциональный элемент, он может создавать поле излучения как с линейной, так и с круговой поляризацией, а также работать на одной или двух частотах с взаимно ортогональным расположением плоскостей поляризации излучаемых волн.

  • ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

    1. Особенности СВЧ микроэлектронных устройств В диапазон СВЧ микроэлектроника начала внедряться в последнюю очередь, примерно в середине 60-х годов. В первую очередь это связано с трудностью создания твердотельных СВЧ активных приборов. Кроме того, при проектировании и разработке СВЧ микроэлектронных устройств необходимо учитывать очень многие факторы, обусловленные малыми размерами узлов, концентрацией сильных полей в малых объемах, наличием цепей паразитной связи, взаимодействием близко расположенных элементов, трудностью отвода тепла, требованиями к точности изготовления и однородности материалов.

  • Лазер

    Глава четвертая ПРИМЕНЕНИЕ ОВ Прежде всего следует отметить, что исследования взаимодействия лазерного излучения с веществом представляют исключительно большой

  • Криоэлектроника

    Белорусский Государственный Университет Информатики и Радиоэлектроники Кафедра ЭВМ Реферат по предмету Конструирование и Технология Производства ЭВМ

  • Исследование комбинационных помех в анализаторе спектра миллиметрового диапазона длин волн

    МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Нижегородский ордена Трудового Красного знамени Государственный университет имени Н.