Название: Фоторезисторы
Вид работы: реферат
Рубрика: Радиоэлектроника
Размер файла: 25.57 Kb
Скачать файл: referat.me-320615.docx
Краткое описание работы: ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света.
Фоторезисторы
ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
Основные характеристики фотосопротивлений.
1. Рабочая площадь.
|
2. Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом.
3. Удельная чувствительность
где:
|
-фототок, равный разности токов в темноте и на свету;
Ф - световой поток;
U - приложенное напряжение.
4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ).
5. Среднее относительное изменение сопротивления, % -
обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,
|
, где :
|
-сопротивление в темноте;
|
-сопротивление в освещенном состоянии.
6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением :
Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики.
Схема включения фоторезисторов:
![]() |
|
|
|
При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).
С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы
1. Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., « Советское радио», 1973.
2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965.
Похожие работы
-
Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники
Министерство Образования РФ Владимирский Государственный Университет Кафедра конструирования и технологии радиоэлектронных средств Исследовательская работа
-
Фотодиод в оптоэлектронике
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Г.ЧЕРНЫШЕВСКОГО Кафедра физики
-
Разработка автоматического устройства
Вариант №. 8 Контрольная № 2. ОБЯЗАТЕЛЬНО ПЕРЕПИСАТЬ ВРУЧНУЮ!!! Задание 1. Привести описание принципа действия с временной диаграммой и расчет схемы автоколебательного мультивибратора транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).
-
Полупроводниковые приборы и электронные лампы
ДОКЛАД "Полупропроводниковые приборы и электронные лампы" ученика 10 "Б" класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -1998-
-
Полупроводниковые приборы
Техника полупроводниковых приборов стала самостоятельной областью электроники. Замена электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно осуществлена во многих радиотехнических устройствах.
-
Основы компьютерной электроники
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ ХАРЬКІВСКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ПОЛІТЕХНИЧНИИЙ УНІВЕРСІТЕТ Кафедра Обчислювальної техніки та програмування Контрольна робота
-
Матричные фотоприемники
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА Технический Университет Молдовы Факультет Радиоэлектроники Кафедра Телекоммуникаци Курсовая работа
-
Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения
Министерство общего и высшего образования Российской Федерации Иркутский Государственный Университет Физический факультет Кафедра электроники твердого тела
-
Диоды
Полупроводники стали настоящей золотой жилой техники, когда из них научились делать структуры, похожие на слоистый пирог. Выращивая слой n-полупроводника на пластинке p-полупроводника, мы получим двухслойный полупроводник. Переходный слой между ними называется
-
Диод
- вакуумный или полупроводниковый прибор, пропускающий электрический ток только одного направления и имеющий два вывода для включения в электрическую цепь.