Название: Изучение характеристик логических элементов комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводниках
Вид работы: контрольная работа
Рубрика: Коммуникации и связь
Размер файла: 1.11 Mb
Скачать файл: referat.me-167786.docx
Краткое описание работы: Определение напряжения открывания (переключения) транзисторов. Статические характеристики схемы при вариации напряжения питания. Длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки в сети для различных приборов.
Изучение характеристик логических элементов комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводниках
Контрольная работа по ЦУиМП:
«Изучение характеристик логических элементов КМОП»
Ключ на основе КМОП
Рассмотрим схему

1) Получим ПХ и определим по ним значения входного напряжения, при которых открываются транзисторы Т1, Т2 и защитные диоды.

Определим напряжения открывания (переключения) транзисторов:  , то
, то  (по графику 2.497 В)
(по графику 2.497 В)
Определим напряжение открывания защитных диодов: т. к.  , то входное напряжение открытия диодов D1,2,3,4 (напряжение открытия диодов равно 0.6 В) равно
, то входное напряжение открытия диодов D1,2,3,4 (напряжение открытия диодов равно 0.6 В) равно 
2) Получить статические характеристики схемы при вариации напряжения питания

При уменьшении напряжения питания происходит уменьшение напряжения открытия транзисторов в соответствии с формулой Еп/2.
3) Получить переходные характеристики

Определим длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки:
 - при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий
- при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий
 - при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий
- при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий
 – среднее время задержки ЛЭ.
 – среднее время задержки ЛЭ.
Тогда



4) Получить переходные характеристики при вариации напряжения питания

Время задержки при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий ( ) с уменьшением напряжения питания уменьшается, а время при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий (
) с уменьшением напряжения питания уменьшается, а время при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий ( ) при уменьшении напряжения питания растет.
) при уменьшении напряжения питания растет.
ЛЭ КМОП (ИЛИ-НЕ)
Рассмотрим схему

1) Получить статическую характеристику выходного напряжения от значения статического напряжения на одном из входов ключа

При подаче на х1 напряжения меньшего 2.5 В (логический ноль), в то время как на два других входа подано напряжение 0 В, что соответствует уровню логического нуля, транзисторы Т1, Т3 и Т5 закрыты, а Т6, Т4 и Т2 открыты, на выходе фиксируется сигнал высокого уровня соответствующий логической единице. При подаче же на х1 напряжения высокого уровня соответствующего логической единице транзисторы Т3, Т2 и Т6 открыты, а Т1, Т5 и Т4 закрыты. На выходе схемы напряжение низкого уровня, что соответствует логическому нулю.
2) Получить таблицу истинности ЛЭ
Заменим постоянные источники напряжения Х2,1,0 на импульсные источники, тем самым задав входные уровни (0В – лог. нуль, 5В – лог. единица). Тогда получим след. График анализа. По нему составим таблицу истинности:
| X0 | X1 | X2 | Y | 
| 0 | 0 | 0 | 1 | 
| 0 | 0 | 1 | 0 | 
| 0 | 1 | 0 | 0 | 
| 0 | 1 | 1 | 0 | 
| 1 | 0 | 0 | 0 | 
| 1 | 0 | 1 | 0 | 
| 1 | 1 | 0 | 0 | 
| 1 | 1 | 1 | 0 | 
Таким образом, таблица истинности соответствует стандартному ЛЭ ИЛИ-НЕ, т.е. если на одном из входов есть хотя бы одна логическая единица, то на выходе Y находится логический нуль, значит можно утверждать, что единица это активное значение логической переменной, при этом один из транзисторов Т2, Т4, Т6 заперт, а один из транзисторов Т1, Т3, Т5 открыт. Если на всех входах лог. нули, то транзисторы Т1, Т3, Т5 заперты, а Т2, Т4, Т6 – открыты.
ЛЭ КМОП (И-НЕ)
Рассмотрим схему

1) Получить статическую характеристику выходного напряжения от значения статического напряжения на одном из входов ключа

Когда напряжение на входе х0 соответствует уровню логического нуля, а напряжения на двух других входах при этом соответствуют уровню логической единицы, можно отметить. Транзисторы Т1, Т4 и Т6 закрыты, а Т2, Т3 и Т5 открыты, причем сигнал с транзисторов Т3 и Т5 идет на корпус, а с Т2 на выход, и уровень этого выходного сигнала соответствует логической единице.
Когда напряжение на входе х0 соответствует уровню логической единицы, а напряжения на двух других входах при этом тоже соответствуют уровню логической единицы, можно отметить. Транзисторы Т2, Т4 и Т6 закрыты, а Т1, Т3 и Т5 открыты, причем сигнал с транзисторов Т1, Т3 и Т5 идет на корпус, а на выход поступает сигнал очень малого уровня, соответствующего логическому нулю.
2) Получить таблицу истинности ЛЭ
Заменим постоянные источники напряжения Х2,1,0 на импульсные источники, тем самым задав входные уровни (0В – лог. ноль, 5В – лог. единица). Тогда получим след. график анализа. По нему составим таблицу истинности:
| X0 | X1 | X2 | Y | 
| 0 | 0 | 0 | 1 | 
| 0 | 0 | 1 | 1 | 
| 0 | 1 | 0 | 1 | 
| 0 | 1 | 1 | 1 | 
| 1 | 0 | 0 | 1 | 
| 1 | 0 | 1 | 1 | 
| 1 | 1 | 0 | 1 | 
| 1 | 1 | 1 | 0 | 
Таким образом, таблица истинности соответствует стандартному ЛЭ И-НЕ, т.е. если на одном из входов есть хотя бы один логический нуль, то на выходе Y находится логическая единица, значит можно утверждать, что нуль это активное значение логической переменной. Если на всех входах лог. единицы, то транзисторы Т1, Т3, Т5 открыты, а Т2, Т4, Т6 – заперты – на выходе лог. нуль.
Формирователь коротких импульсов (КМОП)
Рассмотрим схему

1) Получить статические передаточные характеристики

Согласно передаточной характеристики при любом изменении сигнала Х напряжение на выходе Y равно 5В (лог. единица), а на выходе Y1 0 В (логический нуль).
Пусть на Х=0, тогда на А4=1, А5=0, А6=1, А2=1, А3=0  Y=1, Y1=0
 Y=1, Y1=0
Пусть на Х=1, тогда на А4=0, А5=1, А6=0, А2=1, А3=0  Y=1, Y1=0
 Y=1, Y1=0
Таким образом на нижнем входе А2 всегда подается сигнал  .
.
2) Получить временные диаграммы сигналов Y и Y1

По временной диаграмме видно, что значения напряжения на нижнем входе А2 всегда инверсно напряжению в точке Х, однакоY1 не всегда равно 0, что казалось бы не соответствует полученным ранее выводам. Но это не так, поскольку ЛЭ А4, А5 и А6 содержат в себе инерционные элементы, такие как транзистор, сигналы идущие на вход ЛЭ А2 придут на него с разной задержкой, таким образом возможен подбор ЛЭ, так что бы на выходе Y1 мы получили импульсы с необходимым периодом и длительностью.
Найдем длительность импульсов Y1:  . Время задержки относительно входного сигнала
. Время задержки относительно входного сигнала  , время задержки сигнала Y
, время задержки сигнала Y  меньше чем, время задержки сигнала Y1, что сказывается наличием дополнительного элемента И-НЕ, вносящего дополнительную задержку.
меньше чем, время задержки сигнала Y1, что сказывается наличием дополнительного элемента И-НЕ, вносящего дополнительную задержку.
Формирователь коротких импульсов (интегрирующая RC -цепь)
Рассмотрим схему

1) Получить статические передаточные характеристики

Согласно передаточной характеристики при любом изменении сигнала Х напряжение на выходе Y равно 5В (лог. единица), а на выходе Y1 0 В (логический нуль).
Пусть Х=0, тогда А4=1, А2=1, А3=0  Y=1, Y1=0
 Y=1, Y1=0
Пусть Х=1, тогда А4=0, А2=1, А3=0  Y=1, Y1=0
 Y=1, Y1=0
2) Получить временные диаграммы сигналов Y и Y1

Поскольку в схеме 5 присутствует RC цепь интегрирующего типа с постоянной времени  , то увеличивается длительность импульсов. Следовательно появляется возможность регулировать длительностью импульсов изменяя постоянную времени τ.
, то увеличивается длительность импульсов. Следовательно появляется возможность регулировать длительностью импульсов изменяя постоянную времени τ.
Параметры импульсов на выходе:


3) Получить временные диаграммы сигналов Y и Y1 при различных значениях резистора R1

При изменении величины резистора R1 происходит изменение постоянной времени цепи. При увеличении величины сопротивления согласно формуле  постоянная времени растет, следовательно, увеличивается время импульса.
 постоянная времени растет, следовательно, увеличивается время импульса.
Похожие работы
- 
							Интегральная и микропроцессорная схемотехника
							Рабочая программа курса «Интегральная и микропроцессорная схемотехника» Введение . Роль интегральной электроники в развитии современной науки и техники. Этапы перехода от дискретных элементов к интегральным микросхемам. Успехи, достигнутые в области разработки полупроводниковых приборов и микросхемотехники. 
- 
							Устройства защиты громкоговорителей
							Описание различных видов схем защиты громкоговорителей УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ ГРОМКОГОВОРИТЕЛЕЙ Приведённое устройство предназначено для задержки подключения громкоговорителей на время переходных процессов в УМЗЧ при включении питания и отключении их при появлении на его выходе постоянного напряжения любой полярности. 
- 
							Коммутаторы аналоговых сигналов. Устройство и принцип действия
							Устройство коммутаторов аналоговых сигналов. Сущность коммутации сигналов - метода, с помощью которого сигналы, поступающие от нескольких источников, объединяются в определенном порядке в одной линии. Многоканальные, матричные коммутаторы, мультиплексоры. 
- 
							Изучение характеристик ключевых схем на дополняющих МОП-транзисторах (КМОП)
							Характеристики ключевых схем на дополняющих МОП-транзисторах (КМОП), базовых схем логических элементов на основе программы MC8DEMO. Содержание процессов в формирователях коротких импульсов на базе ЛЭ КМОП и проявления гонок (состязаний) в цифровых схемах. 
- 
							Электронный ключ на полевом транзисторе
							Электронные ключи – элементы, производящие под воздействием управляющего сигнала различные коммутации в импульсных и цифровых устройствах. Схемы электронных ключей на полевых транзисторах. Принцип их работы, схожесть с ключами на биополярных транзисторах. 
- 
							Цифровые интегральные микросхемы
							Сущность и назначение цифровых интегральных микросхем, описание их статических и динамических параметров. Основы алгебры логики. Изучение элементов транзисторной логики с эмитерными связями. Принципы сочетания диодного элемента с транзисторным инвертором. 
- 
							Электронные ключи Особенности схемотехники РТЛ и ДТЛ
							БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра РЭС РЕФЕРАТ На тему: «Электронные ключи. Особенности схемотехники РТЛ и ДТЛ» 
- 
							Знакомство с программой Micro-cap. Изучение характеристик и логических элементов транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
							Возможности программы схемотехнического моделирования и проектирования MC8DEMO из семейства Micro-Cap. Характеристики ключевых схем на биполярных транзисторах и базовых схем логических элементов ТТЛ с использованием возможностей программы MC8DEMO. 
- 
							Проектирование сложных логических структур на МДП-транзисторах
							Классификация ЛЭ двухступенчатой логики на биполярных транзисторах. Транзисторно-транзисторные ИМС (TTL). Базовая схема элемента T-TTL, его модификации. Характеристика ЛЭ на полевых МДП-транзисторах. Сравнение ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах. 
- 
							Исследование особенностей построения и функционирования шинной ЛВС
							Изучение структуры и принципов построения ЛВС с шинной топологией со случайным методом доступа к моноканалу. Особенности и сущность работы шинных ЛВС со случайным методом доступа на основе протоколов канального и физического уровней эталонной модели ВОС.