Название: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Вид работы: реферат
Рубрика: Коммуникации и связь
Размер файла: 163.82 Kb
Скачать файл: referat.me-170722.docx
Краткое описание работы: Министерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет – УПИ Кафедра “Технология и средства связи” Расчетно-графическая работа
Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
«КД213А »
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
Екатеринбург
2000
Аннотация
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R= , r~ , C; расчитываются TKUпр , TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода............................................ 4
2. Паспортные параметры:....................................................... 4
2.1. Электрические.......................................................... 4
2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4
3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5
3.1. При комнатной температуре.................................... 5
3.2. При повышенной...................................................... 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6
6. Определение сопротивления базы rб................................... 9
6.1. Приближенное.......................................................... 9
6.2. Точное....................................................................... 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8. Библиографический список................................................ 10
9. Затраты времени на:........................................................... 10
9.1. Информационный поиск........................................ 10
9.2. Расчеты................................................................... 10
9.3. Оформление............................................................ 10
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А [1]
Рисунок 1
Паспортные параметры:
Электрические
Постоянное прямое напряжение при I пр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
Предельные значения параметров при Т=25˚С |
Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С |
Значения параметров при Т= 25˚С |
R т п-к, ˚С/Вт |
|||||||||||
I пр, ср max А |
Uобр, и, п мах, В |
Uобр мах, В |
Iпрг (Iпр, уд)мах, А |
fмах, кГц |
Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В |
tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс |
I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА |
|||||||
Т˚С |
tи(tпр), мс |
Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А |
Iпр, и, А |
Uпр, и, В |
||||||||||
10 |
85 |
200 |
200 |
100 |
10 |
100 |
140 |
1 |
10 |
0,3 |
1 |
20 |
0,2 |
1,5 |
Вольт-амперная характеристика
При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25 °С
Зависимость R= от Uпр |
||||||||
Uпр |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
||
|
0,3 |
0,2333333 |
0,16 |
0,1125 |
0,090909 |
0,073333 |
Зависимость r~ от Uпр |
|||||||
Uпр |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
||
r~ |
0,1 |
0,0666667 |
0,05 |
0,044444 |
0,038462 |
![]() |
Зависимость R= от Uобр |
||||||||
Uобр |
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
300 |
||
|
3571429 |
6666666,7 |
8333333 |
4878049 |
2777778 |
1304348 |
Зависимость r~ от Uобр |
|||||||
|
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
||
r~ |
50000000 |
25000000 |
5555556 |
2631579 |
1157407 |
Зависимость Cдиф от Uпр |
|||||||||
Uпр |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
|||
Сдиф |
0,08 |
0,12 |
0,2 |
0,32 |
0,44 |
0,6 |
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы r б
Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
![]() |
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
Затраты времени на:
a) Информационный поиск -72 часf
b) Расчеты -1час (67 мин.)
c) Оформление - 6 часов (357мин.)
[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США
Похожие работы
-
Расчетно-графическая работа 2
Министерство образования Российской Федерации Уральский Государственный Технический Университет - УПИ Кафедра "ВЧСРТ" Расчетно-графическая работа
-
Средства отображения информации
Обоснование выбора типа индикатора в соответствии с режимом стробирования. Построение буферной микросхемы. Расчет формирователей строк или столбцов. Синтез знакогенератора. Характеристики германиевого транзистора. Выбор резисторов по номинальному ряду.
-
Контрольная по телетрафику
Министерство высшего и профессионального образования РФ Ижевский Государственный Технический Университет Приборостроительный факультет Контрольная работа
-
Исследование частотно-временных характеристик и структурных преобразований систем радиоавтоматики
Министерство образования и науки Украины Севастопольский национальный технический университет Кафедра Радиотехники Расчетно-графическое задание №1
-
Лабораторная работа 1 по Цифровым и Микропроцессорным устройствам
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Южно-Уральский Государственный Университет Кафедра Радиотехнических Систем
-
Разработка системы кодированиядекодирования циклического кода
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра КТРС РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ ПО ДИСЦИПЛИНЕ
-
Расчет параметров и режимов работы транзисторных каскадов усилителя низкой частоты
Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Схема транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, расчет элементов схемы. Аналитический расчёт параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
-
Преобразователь двоичного кода от 0 до 255 в двоично-десятичный код
Основные способы реализации преобразователей кодов. Структурная схема преобразователя двоичного кода, описание работы ее составных элементов: DIP-переключателей, семисегментного индикатора с дешифратором. Основы моделирования схемы в среде Quartus II.
-
Реализация и анализ цифрового фильтра с конечной импульсной характеристикой
Министерство образования Российской Федерации УРАЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Оценка работы Курсовая работа Реализация и анализ цифрового фильтра с конечной импульсной характеристикой
-
Расчет усилителя на биполярном транзисторе
Расчетно-графическая работа по курсу электроники. Расчет однокаскадного усилителя. Вариант №25. Задание: Требуется рассчитать однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе, схема которого приведена ниже. В этой схеме тип транзистора определяется полярностью заданного напряжения.