Referat.me
/ / Определение параметров p-n перехода

Название: Определение параметров p-n перехода

Вид работы: реферат

Рубрика: Радиоэлектроника

Размер файла: 55.93 Kb

Скачать файл: referat.me-320378.docx

Краткое описание работы: «МАТИ»-РГТУ им. К. Э. Циолковского тема: «Определение параметров p-n перехода» Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxx" Курсовая работа

Определение параметров p-n перехода

«МАТИ»-РГТУ

им. К. Э. Циолковского

тема: «Определение параметров p-n перехода»

Кафедра: "Xxxxxxxxxxxxxxxxxxxx

xxxxxxxxxxxxxxxx"

Курсовая работа

студент ХxxxxxxxX. X.группа XX-X-XX

дата сдачи

оценка

г. Москва 2001 год

Оглавление:

1. Исходные данные

3

2. Анализ исходных данных

3

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

3
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны 3
б) собственная концентрация 3
в) положение уровня Ферми 3
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда 4
д) удельные электропроводности p- и n- областей 4
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок 4
ж) диффузионные длины электронов и дырок 4

4. Расчет параметров p- n перехода

4

a) величина равновесного потенциального барьера 4
б) контактная разность потенциалов 4
в) ширина ОПЗ 5
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении 5
д) тепловой обратный ток перехода 5
е) график ВФХ 5
ж) график ВАХ 6, 7

5. Вывод

 7

6. Литература

 8
1. Исходные данные

1) материал полупроводника – GaAs

2) тип p-nпереход – резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () – 1 пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2

6) физические свойства полупроводника
Ширина запрещенной зоны, эВ Подвижность при 300К, м2 /В × с Эффективная масса Время жизни носителей заряда, с Относительная диэлектрическая проницаемость
электронов Дырок электрона mn /me дырки mp /me
1,42-8 0,85 -8 0,04 -8 0,067-8 0,0 82 -8 10-8 13,1-8
2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующих примесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа =1017 м -3 , Nд =1019 м -3

3. Температура (T ) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4. – ширина запрещенной зоны

5. , – подвижность электронов и дырок

6. , – эффективная масса электрона и дырки

7. – время жизни носителей заряда
8. – относительная диэлектрическая проницаемость
3. Расчет физических параметров p- и n- областей

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны

б) собственная концентрация

в) положение уровня Ферми

(рис. 1)

(рис. 2)
Eg
X
Ei
Ec
Ev
EF
Eg
EF
Ei
Ec
Ev
X
(рис. 1) (рис. 2)

г) концентрации основных и неосновных носителей заряда

д) удельные электропроводности p- и n- областей

е) коэффициенты диффузий электронов и дырок

ж) диффузионные длины электронов и дырок

4. Расчет параметров p- n перехода

a) величина равновесного потенциального барьера

б) контактная разность потенциалов
в) ширина ОПЗ (переход несимметричный -)

г) барьерная ёмкость при нулевом смещении

д) тепловой обратный ток перехода

е) график ВФХ

– общий вид функции для построения ВФХ

ж) график ВАХ

– общий вид функции для построения ВАХ

Ветвь обратного теплового тока (масштаб)

Ветвь прямого тока (масштаб)

Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам:

- величина равновесного потенциального барьера () равна , что соответствует условию >0,7эВ

- барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ )

- значение обратного теплового тока () равно 1,92×10-16 А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА )

Литература:

1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники»

2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ» . Москва, 1996 г.

3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники . Москва, «Советское радио», 1971 г.

Похожие работы

  • Билеты по Электронике и электротехнике за декабрь 2000 г

    примерный перечень экзаменационных вопросов ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Дайте определение понятию «электрическая цепь». Нарисуйте одну из возможных схем электрической цепи.

  • Расчет усилителя низкой частоты

    Реферат Курсовая работа оформлена на 35 страницах машинописного текста, содержит 18 рисунков, 16 источников использованной литературы и 5 приложений.

  • Ремонт и наладка силового электрооборудования токарно-винторезного станка 163 модели

    Министерство образования Украины Кременчугское ВПУ №7 КУРСОВАЯ РАБОТА ТЕМА: Обслуживание и ремонт силового электрооборудования универсального токарно-винторезного станка 163

  • Разработка тиристорного преобразователя

    ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ВЫСШЕМУ ОБРАЗОВАНИЮ СТАВРОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

  • Радиотехнические цепи и сигналы

    Государственный комитет Российской Федерации по связи и информатизации Сибирская государственная академия телекоммуникаций и информатики Кафедра радиотехнических систем

  • Переходные процессы в электрических цепях

    Оглавление Схема 2 стр. Составление характеристического уравнения по Z и расчет его корней. 3 стр. Определение принужденных составляющих. 4 стр. Определение начальных условий.

  • Основы теории цепей

    Нижегородский Государственный Технический Университет Курсовая работа по предмету : «Основы теории цепей». Выполнил: Проверил : г. Нижний Новгород

  • Криоэлектроника

    Белорусский Государственный Университет Информатики и Радиоэлектроники Кафедра ЭВМ Реферат по предмету Конструирование и Технология Производства ЭВМ

  • Выпрямители

    ИжГТУ Кафедра Электротехники Курсовая работа Тема: «Выпрямители» Выполнил: студент группы №372 Солодянкин А. Н. Принял: Ситников Б. А. Ижевск 2000 Содержание

  • Анализ линейной стационарной цепи

    Министерство образования Российской Федерации Уральский Государственный Технический Университет - УПИ Кафедра "ТОР" Курсовая работа