Глава четвертая ПРИМЕНЕНИЕ ОВ Прежде всего следует отметить, что исследования взаимодействия лазерного излучения с веществом представляют исключительно большой

1. Физиологические эффекты при воздействии лазерного излучения на человека. Непосредственное воздействие на человека оказывает лазерное излучение любой длины волны, однако в связи со спектральными особенностями поражаемых органов и существенно различными предельно допустимыми дозами облучения обычно различают воздействие на глаза и кожные покровы человека.

Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени Н.Э.Баумана.

Содержание Введение Определение лазера : Классификация лазеров по безопасности Лазерные группы: Твердые лазеры на люминесцентных средах Газовые лазеры

СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ Устройство полевого транзистора. Схемы включения полевого транзистора. Эквивалентная схема полевого транзистора. 4. Параметры полевого транзистора.

АЛМАТИНСКИЙ ИНСТИТУТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ Кафедра «Радиотехника» Курсовая работа По курсу АНТЕННО-ФИДЕРНЫЕ УСТРОЙСТВА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН.

Министерство образования РФ Южно-Российский Государственный Технический Университет (НПИ) ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА СПЕЦИАЛЬНОСТЬ Электроника Пояснительная записка

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА Технический Университет Молдовы Факультет Радиоэлектроники Кафедра Телекоммуникаци Курсовая работа

Московский государственный институт электроники и математики (Технический университет) Кафедра ИТАС РЕФЕРАТ Привести методы и алгоритмы решения задач компоновки, размещения и трассировки, возникающих в процессе конструирования. Оценить трудоемкость методов и качество получаемых с их помощью решений, рассматривая указанные выше задачи как задачи математического программирования.

Министерство общего и профессионального образования Самарский государственный технический университет Кафедра: Робототехнические системы Метрология и радиоизмерения

ВВЕДЕНИЕ Универсальные приборы,эквивалентные по значению транзистору,которые создаются на тонких кремниевых пластинках СБИС,в настоящее время так миниатюрны и дешевы,что чрезвычайно большое число процессоров может быть объединено в единую сеть.В 1978г. 100.000 элементов было успешно интегрировано в ЗУ объемом 64Кбит.В 1981г. фирма Hewlett-Packard объявила о создании микропроцессорного кристалла,содержащего 450.000 элементов.

Н.А. Малков, С.В. Мищенко Микрополосковый метод (МП) измерения диэлектрических параметров обладает высокой чувствительностью и позволяет полностью перекрыть частотный диапазон на стыке дециметровых и сантиметровых длин волн (где измерительные ячейки с распределёнными параметрами имеют неприемлемо большие габариты)

ВВЕДЕНИЕ Развитие электронной вычислительной техники, и информатики и применение их средств и методов в народном хозяйстве, научных исследованиях, образовании и других сферах человеческой деятельности являются в настоящее время приоритетным направлением научно-технического прогресса. Это приводит к необходимости широкой подготовки специалистов по электронным вычислительным машинам, системам и сетям, программному обеспечению и прикладной математике, автоматизированным системам обработки данных и управления и другим направлениям, связанным с интенсивным использованием вычислительной техники.

ВВЕДЕНИЕ В большинстве случаев одиночные каскады не обеспечивают необходимое усиление и заданные параметры усилителей. Поэтому усилители, которые применяют в аппаратуре связи и измерительной технике, многокаскадные. При анализе и расчете многокаскадного усилителя необходимо определить общий коэффициент усиления усилителя, искажения, вносимые им, распределять их по каскадам, определить требование к источникам, решить вопросы введения обратных связей и т.д.

Балтийский Государственный технический университет им. Д.Ф.Устинова (“Военмех”) Кафедра И4 Реферат МНОГОЩЕЛЕВАЯ ВОЛНОВОДНАЯ АНТЕННА

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра РЭС (РТС) КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА По курсу «Методы проектирования и оптимизации РЭA»

КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ АРМАВИРСКИЙ МЕХАНИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ Кафедра_ внутризаводского электрооборудования и автоматики

Министерство общего и профессионального образования РФ Воронежский государственный университет факультет кафедра Дифференциальных уравнении Курсовая работа

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН КАЗАХСКО – АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «Утверждаю» проректор по учебной работе ______________________Халелова Г.Б

I.Вступ В наш час комплексна механізація і автоматизація виробництва стають важливою умовою економічного зросту країни.Розв’язок цих задач неможливий без швидких темпов розвитку електроніки, радіопромисловості, тобто всього того комплексу галузей, котрі задають технічну базу для автоматизації та керування.