Referat.me
/ / Исследование усилительного каскада с общим эмиттером на биполярном транзисторе

Название: Исследование усилительного каскада с общим эмиттером на биполярном транзисторе

Вид работы: лабораторная работа

Рубрика: Промышленность и производство

Размер файла: 348.77 Kb

Скачать файл: referat.me-304306.docx

Краткое описание работы: МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОУ ВПО «АЛТАЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. И.И.Ползунова»

Исследование усилительного каскада с общим эмиттером на биполярном транзисторе

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ГОУ ВПО «АЛТАЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. И.И.Ползунова»

Кафедра прикладной математики

Лабораторная работа №3 по электротехнике.

«Исследование усилительного каскада

с общим эмиттером на биполярном транзисторе»

Выполнил:

Студент гр. ПОВТ-62

Луценко Евгений.

Проверил:

Лукоянычев В.Г.

Барнаул 2008

Исходные данные для расчета и компьютерного анализа и синтеза:

• Напряжение питания каскада: Eс = 10 В.

• Сопротивление нагрузки каскада: RLoad=5 кОм.

• Нижняя граничная частота усиления, определяемая по уровню

• Коэффициент частотных искажений на нижней граничной частоте:

• Температурный диапазон работы каскада: 27°С…67°С.

• Дрейф напряжения коллектор-эмиттер в точке покоя в пределах

температурного диапазона: ∆Ucea (∆T°) не более 500 мВ.

• В данной работе используется транзистор модели 2N2222A, максимально допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе, Pcmax=100 мВт. Максимальный коллекторный ток транзистора Icmax=30 мА.

Анализ по постоянному току.

Анализ выходных характеристик.

RΣ =10В/0,015А=666,7 Ом

К=Rc/Re=5,68

RE =100 Ом

RC =556,7 Ом

VCES = 0.0246В

VCEA = 4.34 В

ICA = 0.0085 A

IBA = (5.2e-5 + 3.9e-5)/2 = 4.55e-5

Анализ входных и передаточных характеристик.

VBEA = 0.701329 В

IBA эксп = 43.683 мкА

rB DIFF = 699.116

rC DIFF = 11615.9

1/ rC DIFF = 8.609e-5

Рассчет β:

Transfer function: β = 199.639

Sensitivity: β = 199.605

BF = 200.601

IEA = 0.008969 A

VBA = 1.6 В

IDIV = 7.5 * IBA = 3.41e-4 A

R2 = 4692.1 Ом

R1 = 21705.4 Ом

Анализ схемы на переменном токе для малого сигнала

ME = 1.41, MIN = MOUT = 1.001.

CIN = 6.01e-5

COUT = 6.423e-6

CE = 0.007

KU = 140

KU дБ = 43 дБ

Анализ переходных процессов в режиме большого сигнала

Исследование термостабильности различных каскадов

RB2 = 204366. Ом

RC2 = RC3 = 666.7 Ом

R23 = 1541.38 Ом

R13 = 18578.8 Ом

CIN2 = CIN3 = CIN = 6.01e-5

COUT2 = COUT3 = COUT = 6.423e-6

Похожие работы

  • Оптимальная последовательность обработки деталей на двух и четырех станках

    Министерство Образования Российской Федерации Тольяттинский государственный университет Кафедра “Технология машиностроения” Отчет о практических работах

  • Рассчитать основные размеры бражной колонны

    Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра органической химии и пищевой технологии

  • Умножитель частоты 2

    Содержание Введение Обзор методов решения аналогичных задач Выбор обоснования и предварительный расчёт структурной схемы Описание принципа работы структурной схемы

  • Генератор на микросхеме

    Функциональный генератор, описы­ваемый в этой статье, построен на микросхеме КР580ГФ24, предназначен­ной для тактирования микропроцессора КР580ВМ80. К до­стоинствам генератора относится спо­собность работать на частотах до 20 МГц, при этом хорошая форма тре­угольного напряжения сохраняется до частоты примерно 5 МГц.

  • Биполярные транзисторы 5

    Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного Знамени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНА

  • Расчет усилителя на дискретных элементах

    Анализ существующих схемных решений, однокаскадный усилитель на транзисторе с общим эмиттером. Расчет схемы усилителя низких частот, расчет выходного каскада. Схема усилителя с общим коллектором и Коллекторная стабилизация, эммитерный повторитель.

  • Расчет схемной модели кремниевого дрейфового транзистора

    Рассчет параметров П-образной эквивалентной схемы транзистора включенного по схеме с ОЭ для НЧ и ВЧ. Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер. Описание технология изготовления дрейфового транзистора, структура n-p-n-перехода.

  • Проектирование усилителя низкой частоты

    Методика расчета усилителей переменного тока. Особенности выбора схемы выходного каскада усилителя. Порядок определения параметров и режимов работы выходного, фазоинверсного и входного каскадов, оценка их полезного действия для максимального сигнала.

  • Технологическая последовательность обработки женских брюк

    ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «АЛТАЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

  • Исследование аварийности автомобилей принадлежащих УПАП-1

    МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра вычислительной техники и инженерной кибернетики